maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H64M8JN-25E:G
Référence fabricant | MT47H64M8JN-25E:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H64M8JN-25E:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H64M8JN-25E:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8JN-25E:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H64M8JN-25E:G-FT |
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
MT47H128M16RT-25E AAT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16PK-25E IT:C
Micron Technology Inc.
EP2C5T144C7
Intel
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
EP4CGX110CF23I7N
Intel
10M04SFE144C8G
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
A42MX16-FPQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EPF81500ARC240-3
Intel