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Référence fabricant | MT47H64M8CF-187E:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H64M8CF-187E:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H64M8CF-187E:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 350ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M8CF-187E:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H64M8CF-187E:G-FT |
MT48V8M16LFF4-8 XT:G
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C TR
Micron Technology Inc.
IS43DR16640B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel