maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H64M16B7-5E:A TR
Référence fabricant | MT47H64M16B7-5E:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H64M16B7-5E:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H64M16B7-5E:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (64M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 600ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 92-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 92-FBGA (11x19) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H64M16B7-5E:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H64M16B7-5E:A TR-FT |
MT29F64G08CBABAWP-M:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ABACAWP-IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAFAWP-ITE:F
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F128G08CFABBWP-12IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABABAWP-AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F16G08ABACAWP-ITZ:C TR
Micron Technology Inc.
XA6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
Intel
5SGSMD4H3F35I4N
Intel
EPF6016AFC100-1
Intel