maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H512M8WTR-3:C
Référence fabricant | MT47H512M8WTR-3:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H512M8WTR-3:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H512M8WTR-3:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-FBGA (9x11.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H512M8WTR-3:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H512M8WTR-3:C-FT |
MT46H64M32L2CG-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2CG-6 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H64M32L2JG-5 IT:A TR
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Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Intel