maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H256M4SH-25E:M
Référence fabricant | MT47H256M4SH-25E:M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT47H256M4SH-25E:M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M4SH-25E:M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4SH-25E:M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M4SH-25E:M-FT |
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEPD-125 W.95T TR
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q
Micron Technology Inc.
MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR
Micron Technology Inc.
MT35XU01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E
Micron Technology Inc.
MT40A1G8SA-062E IT:E TR
Micron Technology Inc.