maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H256M4CF-3:H
Référence fabricant | MT47H256M4CF-3:H |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H256M4CF-3:H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H256M4CF-3:H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (256M x 4) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H256M4CF-3:H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H256M4CF-3:H-FT |
MT48V8M16LFF4-8 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8 XT:G
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8 XT:G TR
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G
Micron Technology Inc.
MT48V8M16LFF4-8:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E IT:C
Micron Technology Inc.
MT47H128M16RT-25E:C TR
Micron Technology Inc.
IS43DR16640B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel