maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT47H16M16BG-3E:B
Référence fabricant | MT47H16M16BG-3E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H16M16BG-3E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H16M16BG-3E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 256Mb (16M x 16) |
Fréquence d'horloge | 333MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 450ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 84-FBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 84-FBGA (8x14) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H16M16BG-3E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H16M16BG-3E:B-FT |
MT29F64G08AJABAWP-IT:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AJABAWP-P:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AJABAWP:B
Micron Technology Inc.
MT29F64G08AJABAWP:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP:A
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBAAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel