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Référence fabricant | MT47H128M8SH-25E:M |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H128M8SH-25E:M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H128M8SH-25E:M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M8SH-25E:M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H128M8SH-25E:M-FT |
MT46H1DAMA-DC
Micron Technology Inc.
MT46H1DBB5-DC
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel