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Référence fabricant | MT47H128M4SH-25E:H |
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Numéro de pièce future | FT-MT47H128M4SH-25E:H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT47H128M4SH-25E:H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR2 |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 400ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x10) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT47H128M4SH-25E:H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT47H128M4SH-25E:H-FT |
MT46H128M16LFCK-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M16LFCK-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-5 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 IT:A
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B
Micron Technology Inc.
MT46H128M32L2MC-6 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H16M32LFBQ-5 AIT:C TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel