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Référence fabricant | MT46V64M8BN-6:D TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V64M8BN-6:D TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V64M8BN-6:D TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (64M x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (10x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V64M8BN-6:D TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V64M8BN-6:D TR-FT |
MT46V8M16P-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V8M16TG-6T IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V8M16TG-6T L:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V8M16TG-6T:D TR
Micron Technology Inc.
MT46V8M16TG-75:D
Micron Technology Inc.
MT46V8M16TG-75:D TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFCF-10
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFCF-10 IT
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFCF-10 IT TR
Micron Technology Inc.
MT46H8M16LFCF-10 TR
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel