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Référence fabricant | MT46V32M16CY-5B:J TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V32M16CY-5B:J TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V32M16CY-5B:J TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16CY-5B:J TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V32M16CY-5B:J TR-FT |
MT47H64M16HR-3 AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 AAT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 AIT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 IT:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3 L:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-3:E TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel