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Référence fabricant | MT46V32M16CY-5B IT:J |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V32M16CY-5B IT:J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V32M16CY-5B IT:J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (32M x 16) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 700ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (8x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V32M16CY-5B IT:J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V32M16CY-5B IT:J-FT |
MT47H32M16HR-3:F
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E IT:G
Micron Technology Inc.
MT47H32M16HW-25E:G
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-187E:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AAT:H
Micron Technology Inc.
MT47H64M16HR-25E AIT:H
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel