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Référence fabricant | MT46V128M4BN-75:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT46V128M4BN-75:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46V128M4BN-75:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR |
Taille mémoire | 512Mb (128M x 4) |
Fréquence d'horloge | 133MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 750ps |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.3V ~ 2.7V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 60-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 60-FBGA (10x12.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46V128M4BN-75:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46V128M4BN-75:D-FT |
MT46V32M8P-6T:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8P-6TL:GTR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-5B:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T L:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-6T:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-75 IT:G
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-75 IT:G TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-75 L:G
Micron Technology Inc.
MT46V32M8TG-75 L:G TR
Micron Technology Inc.
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel