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Référence fabricant | MT46H4M32LFB5-6 AT:K |
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Numéro de pièce future | FT-MT46H4M32LFB5-6 AT:K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPDDR |
Taille mémoire | 128Mb (4M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5.0ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT46H4M32LFB5-6 AT:K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT46H4M32LFB5-6 AT:K-FT |
MT47H128M8CF-3 L:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8CF-3:H TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8JN-25E:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8JN-3 IT:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8JN-3:H
Micron Technology Inc.
MT47H128M8SH-187E:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H128M8SH-25E AAT:M
Micron Technology Inc.
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
Micron Technology Inc.
MT47H256M4CF-25:H
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel