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Référence fabricant | MT45W1MW16BDGB-701 IT |
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Numéro de pièce future | FT-MT45W1MW16BDGB-701 IT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT45W1MW16BDGB-701 IT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 16Mb (1M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT45W1MW16BDGB-701 IT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT45W1MW16BDGB-701 IT-FT |
W25Q16JVUUIQ TR
Winbond Electronics
GD25LQ16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CNIGR
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EPF10K30ATI144-3N
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A54SX32A-2FGG484I
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LFE2-70E-6FN900I
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5SGSED6N3F45I4N
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A40MX04-FPL84
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LFXP6C-4F256I
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LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
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