maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K512M8V90BWC1

Micron Technology Inc. MT41K512M8V90BWC1

Name: MT41K512M8V90BWC1
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT41K512M8V90BWC1
Availability: InStock
Rating: 4.6 (597 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT41K512M8V90BWC1

quantité disponible: 59040 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC DRAM 4G PARALLEL

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT41K512M8V90BWC1.pdf

Demander un devis pour MT41K512M8V90BWC1

Nom de la compagnie

Contact

Numéro de téléphone

adresse

email

Message

MT41K512M8V90BWC1 Caractéristiques

Référence fabricant	MT41K512M8V90BWC1
Numéro de pièce future	FT-MT41K512M8V90BWC1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT41K512M8V90BWC1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - DDR3L
Taille mémoire	4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT41K512M8V90BWC1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT41K512M8V90BWC1-FT

Comment commander?

Demande d'offre - Confirmer le prix - Commande - Paiement - Envoi - Fait

méthodes de livraison

1) DHL (1-3 days)
2) FEDEX (1-3 days)
3) UPS (1-3 days)
4) TNT (2-5 days)
5) EMS (7-10 days)
6) Normal Post (10-20 days)
7) Others
Calcul du fret: veuillez nous contacter