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MT41K512M8V80AWC1 Image

Micron Technology Inc. MT41K512M8V80AWC1

Numéro de pièce MFG
MT41K512M8V80AWC1
quantité disponible
28230 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
- IC DRAM 4G PARALLEL DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MT41K512M8V80AWC1.pdf
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MT41K512M8V80AWC1 Caractéristiques

Référence fabricant MT41K512M8V80AWC1
Numéro de pièce future FT-MT41K512M8V80AWC1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MT41K512M8V80AWC1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR3L
Taille mémoire 4Gb (512M x 8)
Fréquence d'horloge -
Ecrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.283V ~ 1.45V
Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage -
Paquet / caisse -
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT41K512M8V80AWC1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MT41K512M8V80AWC1-FT

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