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Référence fabricant | MT41K512M8RH-107:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K512M8RH-107:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K512M8RH-107:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-107:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K512M8RH-107:E-FT |
MT41J64M16LA-15E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel