maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K512M8RH-107:E
Référence fabricant | MT41K512M8RH-107:E |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K512M8RH-107:E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K512M8RH-107:E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 933MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 20ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 78-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 78-FBGA (9x10.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8RH-107:E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K512M8RH-107:E-FT |
MT41J64M16LA-15E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107G:K TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 V:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125:K
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41K128M8JP-125:G TR
Micron Technology Inc.
XC3S1000-4FGG320I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
5SGSED6N1F45I2N
Intel
XC5VFX130T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX485T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
EPF10K70RC240-3N
Intel
5AGZME1H3F35C4N
Intel