maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT41K512M8DA-125:P
Référence fabricant | MT41K512M8DA-125:P |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K512M8DA-125:P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K512M8DA-125:P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | 800MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | 13.5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K512M8DA-125:P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K512M8DA-125:P-FT |
MT41J512M8THU-187E:A
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-125:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-125E:G
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E AAT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E AIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-15E XIT:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16JT-187E:G TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-15E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41J64M16LA-187E:B TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-107:K
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel