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Référence fabricant | MT41K256M16V80AWC1 |
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Numéro de pièce future | FT-MT41K256M16V80AWC1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT41K256M16V80AWC1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR3L |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.283V ~ 1.45V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K256M16V80AWC1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT41K256M16V80AWC1-FT |
MT41J256M16HA-093:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093G:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-093G:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-107:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-125:E
Micron Technology Inc.
MT41J256M16HA-125:E TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M16LY-091G:N TR
Micron Technology Inc.
MT41J256M4JP-125:G
Micron Technology Inc.
MT41J256M4JP-15E:G
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel