maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A512M16JY-062E IT:B TR
Référence fabricant | MT40A512M16JY-062E IT:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A512M16JY-062E IT:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (512M x 16) |
Fréquence d'horloge | 1.6GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A512M16JY-062E IT:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A512M16JY-062E IT:B TR-FT |
MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAH4-ITS:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABAEAM70M3WC1
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MT29F4G08ABBDAH4-AITX:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAH4-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
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MT29F4G08ABBDAM60A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABBDAM60A3WC1 TR
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MT29F4G08ABBEAH4-IT:E
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