maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A4G4NRE-075E:B
Référence fabricant | MT40A4G4NRE-075E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A4G4NRE-075E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A4G4NRE-075E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (4G x 4) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A4G4NRE-075E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A4G4NRE-075E:B-FT |
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel