maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A4G4FSE-083E:A TR
Référence fabricant | MT40A4G4FSE-083E:A TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A4G4FSE-083E:A TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A4G4FSE-083E:A TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 16Gb (4G x 4) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A4G4FSE-083E:A TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A4G4FSE-083E:A TR-FT |
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W ES.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D TR
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT35XL01GBBA1G12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
A42MX36-BGG272
Microsemi Corporation
A3PN125-Z2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C70F672I8
Intel
EP4CGX110DF27C8N
Intel
EP20K30EFI144-2X
Intel
XC7K480T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
EP1C12F324C7N
Intel