maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A2G4WE-075E:D
Référence fabricant | MT40A2G4WE-075E:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A2G4WE-075E:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A2G4WE-075E:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (2G x 4) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-075E:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A2G4WE-075E:D-FT |
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W ES.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBC9FQOPR-053 W.G9G TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZBD8DQOPR-053 W.9G8
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel