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Micron Technology Inc. MT40A2G4WE-075E:B

Name: MT40A2G4WE-075E:B
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT40A2G4WE-075E:B
Availability: InStock
Rating: 4.8 (448 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT40A2G4WE-075E:B

quantité disponible: 25790 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC DRAM 8G PARALLEL 1.33GHZ

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT40A2G4WE-075E:B.pdf

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MT40A2G4WE-075E:B Caractéristiques

Référence fabricant	MT40A2G4WE-075E:B
Numéro de pièce future	FT-MT40A2G4WE-075E:B
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT40A2G4WE-075E:B Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de mémoire	Volatile
Format de mémoire	DRAM
La technologie	SDRAM - DDR4
Taille mémoire	8Gb (2G x 4)
Fréquence d'horloge	1.33GHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement	0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT40A2G4WE-075E:B Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT40A2G4WE-075E:B-FT

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