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Référence fabricant | MT40A1G8WE-083E AUT:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A1G8WE-083E AUT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A1G8WE-083E AUT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | 1.2GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-083E AUT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A1G8WE-083E AUT:B-FT |
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W ES.G8C TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8HQKPR-053 W.G8C TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel