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MT40A1G8WE-083E AIT:B Image

Micron Technology Inc. MT40A1G8WE-083E AIT:B

Numéro de pièce MFG
MT40A1G8WE-083E AIT:B
quantité disponible
14840 Pièces
Prix de référence
USD 14.7798
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Date d'expédition
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fabricant
Micron Technology Inc.
Brève description
- IC DRAM 8G PARALLEL 1.2GHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Mémoire
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
MT40A1G8WE-083E AIT:B.pdf
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MT40A1G8WE-083E AIT:B Caractéristiques

Référence fabricant MT40A1G8WE-083E AIT:B
Numéro de pièce future FT-MT40A1G8WE-083E AIT:B
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
MT40A1G8WE-083E AIT:B Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de mémoire Volatile
Format de mémoire DRAM
La technologie SDRAM - DDR4
Taille mémoire 8Gb (1G x 8)
Fréquence d'horloge 1.2GHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.14V ~ 1.26V
Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
Type de montage -
Paquet / caisse -
Package d'appareils du fournisseur -
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT40A1G8WE-083E AIT:B Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange MT40A1G8WE-083E AIT:B-FT

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