maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A1G8WE-075E IT:B
Référence fabricant | MT40A1G8WE-075E IT:B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT40A1G8WE-075E IT:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A1G8WE-075E IT:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G8WE-075E IT:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A1G8WE-075E IT:B-FT |
MT29F32G08CBADAL83A3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP-M:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBEDBL83A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBCBBB0KB3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B
Micron Technology Inc.
MT29F384G08EBHBBJ4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G01ADAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel