maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT40A1G4RH-075E:B
Référence fabricant | MT40A1G4RH-075E:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT40A1G4RH-075E:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT40A1G4RH-075E:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - DDR4 |
Taille mémoire | 4Gb (1G x 4) |
Fréquence d'horloge | 1.33GHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.14V ~ 1.26V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C (TC) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A1G4RH-075E:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT40A1G4RH-075E:B-FT |
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A
Micron Technology Inc.
MT29VZZZ7D7HQKWL-062 W.G7A TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W ES.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAC8FQKSL-053 W.G8F TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W ES.9D8 TR
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8
Micron Technology Inc.
MT29VZZZAD8DQKSM-053 W.9D8 TR
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel