maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7
Référence fabricant | MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | - |
Format de mémoire | - |
La technologie | - |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29TZZZ7D7DKLAH-107 W ES.9B7-FT |
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F
Micron Technology Inc.
MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABABAM61A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-IT:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-ITS:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-S:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAH4:C
Micron Technology Inc.
MT29F8G08ABACAWP-IT:C
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel