maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y
Référence fabricant | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80Y-FT |
MT29F64G08CECCBH1-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CECDBJ4-10:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CFACBWP-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F64G08EBAAAB74A3WC1P TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F6T08ETHBBM5-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel