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Référence fabricant | MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 162-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 162-VFBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F-FT |
MT52L256M32D1PF-107 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L256M32D1PF-107 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PB-8D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDB8132B4PM-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel