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Référence fabricant | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F-FT |
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-M
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBL84C3WC1-R
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEFBL94C3WC1-M
Micron Technology Inc.
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
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Intel