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Référence fabricant | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F-FT |
MTFC16GAPALBH-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT TR
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel