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Micron Technology Inc. MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Name: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Brand: Micron Technology Inc.
SKU: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Availability: InStock
Rating: 5.0 (445 reviews)

Numéro de pièce MFG: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

quantité disponible: 16230 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Micron Technology Inc.

Brève description: - IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf

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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Caractéristiques

Référence fabricant	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Numéro de pièce future	FT-MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FLASH, RAM
La technologie	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Taille mémoire	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Fréquence d'horloge	533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	-
Temps d'accès	-
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	1.8V
Température de fonctionnement	-25°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-FT

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