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Référence fabricant | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8)(NAND), 1G (32M x 32)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 162-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 162-VFBGA (10.5x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ2B1DZZHGWD-18I.83G-FT |
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
EDB4432BBPA-1D-F-D
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
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Intel
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Intel
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Intel
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Intel
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Microsemi Corporation
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Intel