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Référence fabricant | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 121-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 121-VFBGA (8x7.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H-FT |
MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
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