maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR
Référence fabricant | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -25°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 121-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 121-VFBGA (8x7.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 W.85H TR-FT |
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBEDBJ4-12:D TR
Micron Technology Inc.
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel