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Référence fabricant | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH, RAM |
La technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
Taille mémoire | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512M (32M x 16)(LPDDR2) |
Fréquence d'horloge | 533MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.8V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 121-WFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 121-VFBGA (8x7.5) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ1CVCZZHGTN-18 I.85H-FT |
MTFC16GAKAEJP-AIT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT
Micron Technology Inc.
MTFC16GAPALBH-AAT TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGDQ-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z
Micron Technology Inc.
MTFC16GJGEF-AIT Z TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT
Micron Technology Inc.
MTFC256GAOAMAM-WT TR
Micron Technology Inc.
MTFC256GBAOANAM-WT
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel