maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0
Référence fabricant | MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 |
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Numéro de pièce future | FT-MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | * |
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | - |
Format de mémoire | - |
La technologie | - |
Taille mémoire | - |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | - |
Tension - Alimentation | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29RZ1BVCZZHGTN-25 W.4M0-FT |
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCDBJ4-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBJ4-37ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37B:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G
Micron Technology Inc.
MT29F64G08CBCGBWP-B:G TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel