maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D
Référence fabricant | MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q100 |
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 8Gb (1G x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F8G08ADBDAH4-AAT:D-FT |
MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABBGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABAEAWP-AAT:E TR
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel