maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR

| Référence fabricant | MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de mémoire | Non-Volatile |
| Format de mémoire | FLASH |
| La technologie | FLASH - NAND |
| Taille mémoire | 768Gb (96G x 8) |
| Fréquence d'horloge | 333MHz |
| Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | - |
| Interface mémoire | Parallel |
| Tension - Alimentation | 2.5V ~ 3.6V |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Type de montage | - |
| Paquet / caisse | - |
| Package d'appareils du fournisseur | - |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | MT29F768G08EEHBBJ4-3R:B TR-FT |

MT29F2G01ABAGDM79A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR
Micron Technology Inc.

MT29F2G01ABAGDWB-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-AATX:E
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAGAH4-IT:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABAGAM79A3WC1
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E
Micron Technology Inc.

MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
Micron Technology Inc.

LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP1SGX25DF672I6
Intel

10M25DAF484C8G
Intel

XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.

A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation

LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXFC7D6F31I7N
Intel

EP3SL110F780I4
Intel

10AX027E1F29I1HG
Intel