maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR
Référence fabricant | MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 768Gb (96G x 8) |
Fréquence d'horloge | 267MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F768G08EECBBJ4-37ES:B TR-FT |
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-10Z:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABH3-12ITZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CUCDBJ6-6ITR:D TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel