maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F64G08AKCBBH2-12:B
Référence fabricant | MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F64G08AKCBBH2-12:B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 64Gb (8G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-TBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-TBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F64G08AKCBBH2-12:B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F64G08AKCBBH2-12:B-FT |
MT29F512G08AUEBBH8-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBH8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08AUEBBK8-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-37ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CECBBJ4-5M:B
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CEHBBJ4-3RES:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F512G08CFCBBWP-10ES:B TR
Micron Technology Inc.
LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.
M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40C2
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation