maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D
Référence fabricant | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 512Gb (64G x 8) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 132-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 132-LBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D-FT |
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G16ABAEAH4:E
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F
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Micron Technology Inc.
M2GL025TS-1FGG484I
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Microsemi Corporation
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Intel
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