maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR
Référence fabricant | MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 4Gb (512M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F TR-FT |
MT29F2T08CVCBBG6-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6C:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CVCCBG6-6R:C
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08CWCCBJ7-12:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A
Micron Technology Inc.
MT29F2T08EMHAFJ4-3TES:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAM73A3WC1P
Micron Technology Inc.
MT29F32G08ABAAAWP-IT:A TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel