maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR
Référence fabricant | MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Tb (256G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2T08CTCCBJ7-6R:C TR-FT |
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMAAAC5:A
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel