maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C
Référence fabricant | MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Tb (256G x 8) |
Fréquence d'horloge | 167MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | - |
Paquet / caisse | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2T08CTCCBJ7-6C:C-FT |
MT29F256G08CJABBWP-12:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CJABBWP-12:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCABH2-12:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCBBH2-10:B TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CKEDBJ5-12:D
Micron Technology Inc.
LCMXO2280C-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX25DF672I6
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XC7VX690T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-FPLG84
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel
10AX027E1F29I1HG
Intel