maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR
Référence fabricant | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (256M x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 63-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 63-VFBGA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G08ABBEAH4-IT:E TR-FT |
MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K64M16TW-107:J TR
Micron Technology Inc.
MT41K128M16JT-125 AIT:K
Micron Technology Inc.
MT41K256M16TW-107 AIT:P
Micron Technology Inc.
MT40A1G16WBU-083E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E AIT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-075E:B TR
Micron Technology Inc.
MT40A512M16JY-083E AAT:B TR
Micron Technology Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel