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Référence fabricant | MT29F2G01ABAGDSF-IT:G |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F2G01ABAGDSF-IT:G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 2Gb (2G x 1) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F2G01ABAGDSF-IT:G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F2G01ABAGDSF-IT:G-FT |
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABH3-10IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABK4-10:A
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCABK4-10:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUCDBJ6-6IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D
Micron Technology Inc.
MT29F256G08AUEDBJ6-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CBCBBJ4-37:B
Micron Technology Inc.
A54SX32A-TQG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40I4N
Intel
10CX150YF672E6G
Intel
5SGXEA9N3F45I4N
Intel
LFEC33E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34E2SG
Intel
EP3SE50F780C4
Intel